檢索結果：共4筆資料 檢索策略： "碳化矽".ckeyword (精準) and ckeyword.raw="化學機械拋光"
個人化服務 ：
排序：
每頁筆數：
已勾選0筆資料
1
電動汽車、再生能源及快速充電等高功率元件的應用矽功率元件已無法滿足市場需求，因此單晶碳化矽 (SiC) 相較於單晶矽具有高寬能隙、高崩潰電壓及高熱傳導率等特性較適合用於高功率元件，然而單晶碳化矽具有…
2
單晶碳化矽晶圓(SiC)為一高崩潰電壓及低阻抗的材料，因此在高功率元件市場上有較大之需求，然而因單晶碳化矽晶圓之高硬度、高抗化學性等性質，使其在製造過程有加工時間繁長及成本高等問題。本研究主要針對單…
3
隨著電子電力系統需求的規格逐年提升，碳化矽（Silicon Carbide, SiC）被視為未來高功率元件的理想材料，但因SiC本身的高硬度及高抗化學性，使其在化學機械拋光（Chemical Mec…
4
單晶碳化矽晶圓在LED照明及高功率元件市場的潛力極大，目前單晶碳化矽晶圓的製造過程面臨許多挑戰，其最重要為碳化矽之高硬度及高抗化學性特性造成在化學機械拋光(Chemical Mechanical P…